应中科院光化学转换与功能材料重点实验室邀请，中科院化学研究所胡文平研究员于11月4日上午来理化所交流，并作了题为“有机场效应晶体管的研究”的报告。

报告主要内容包括场效应晶体管(FETs)的发展历史与重要意义、有机场效应晶体管(OFETs)与无机半导体晶体管的区别及其独特优势以及该领域在实际应用中有待解决的难题。FETs是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它是现代微电子学、计算机科学及信息科学等研究领域的基石。导电高分子的发现为OFETs的制备提供了可行性。高分子材料中共轭双键的π-π堆积作用使p轨道电子离域，电子可以在整个高分子链段间穿梭，这成为了有机半导体高分子器件及打印电子学等领域的理论基础。OFETs具有分子可控设计合成的特性，有望在2020年前后以单分子半导体器件的形式代替传统单晶硅材料，使器件加工精度提高到新的水平，从而使摩尔定律得以延续。此外，OFETs在柔性电极、RFID以及大面积电路制备生产等领域也逐渐显出优势。OFETs由多种材料组成，因此材料的界面问题是研究热点之一，其对迁移率的影响十分明显。通过分子的紧密堆积可以有效提高器件的迁移率，目前有机半导体器件的迁移率已经达到多晶硅的水平。

胡文平是中科院化学研究员，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者。主要从事有机高分子光电功能材料的研究，同时在新型有机高分子光电功能材料的设计合成、凝聚态结构与性能的关系，光电器件的应用等方面也开展了系统研究。已发表SCI论文300余篇，论文被SCI引用8000余次，H因子为47。

胡文平研究员作报告

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